化合物半導(dǎo)體行業(yè)概念股有哪些��？2022最新化合物半導(dǎo)體龍頭股名單

    2022 化合物半導(dǎo)體概念股大會(huì)召開(kāi)，展望技術(shù)現(xiàn)狀及商業(yè)化前景8 月3 日~4 日，2022 化合物半導(dǎo)體先進(jìn)技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)（以下簡(jiǎn)稱“大會(huì)”）在蘇州太倉(cāng)順利召開(kāi)。大會(huì)討論了碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)等化合物半導(dǎo)體概念股的技術(shù)現(xiàn)狀及展望。我們觀察到：1）隨著襯底價(jià)格下探、800V 架構(gòu)時(shí)代來(lái)臨，SiC 在汽車中滲透持續(xù)提速；2）GaN 有望從消費(fèi)類應(yīng)用走向更大功率場(chǎng)景，但整體市場(chǎng)規(guī)模小于SiC；3）隨著多結(jié)技術(shù)的發(fā)展及工藝的成熟，VCSEL 芯片龍頭股的功率密度、發(fā)散角等性能持續(xù)優(yōu)化，有望加速在車載激光雷達(dá)領(lǐng)域的應(yīng)用。

 

    碳化硅襯底制備高壁壘，國(guó)內(nèi)外廠商積極布局新興技術(shù)碳化硅龍頭股襯底在長(zhǎng)晶、切割、研磨&拋光三大制造流程均面臨較大技術(shù)難點(diǎn)，使得碳化硅襯底成本持續(xù)高企，我們看到國(guó)內(nèi)外企業(yè)在三大流程中積極研發(fā)布局新興技術(shù)解決成本問(wèn)題，未來(lái)襯底價(jià)格有望持續(xù)下降。長(zhǎng)晶方面，日本開(kāi)始積極研發(fā)LPE（溶液法），替代傳統(tǒng)PVT（物理氣相傳輸法），以解決長(zhǎng)晶條件苛刻、生長(zhǎng)速度慢、擴(kuò)徑難、液相界面不穩(wěn)定等難點(diǎn)。晶棒切割方面，歐洲、日本等積極布局激光剝離技術(shù)，較傳統(tǒng)多線切割法無(wú)線損，效率提升2-3 倍。研磨&拋光方面，通過(guò)晶圓減薄技術(shù)，可較雙端面研磨實(shí)現(xiàn)更低裂片率；采用多步化學(xué)機(jī)械拋光，實(shí)現(xiàn)更高穩(wěn)定性和適用于更大尺寸襯底。

 

    全球碳化硅滲透提速，海外龍頭廠商業(yè)績(jī)彰顯行業(yè)光明前景此次會(huì)議上，Yole 預(yù)計(jì)全球碳化硅功率器件龍頭股市場(chǎng)規(guī)模將由2021 年的10.9億美元增長(zhǎng)至2027 年的62.97 億美元，對(duì)應(yīng)CAGR 為34%，主要受到新能源汽車市場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)，占比將提升至79%。從近期海外龍頭廠商業(yè)績(jī)來(lái)看，碳化硅滲透呈現(xiàn)提速趨勢(shì)。ST 預(yù)期23 年碳化硅收入將達(dá)到10 億美元（此前預(yù)期24 年）。安森美上調(diào)22 年碳化硅收入為21 年的3 倍（此前預(yù)期為2倍），并認(rèn)為23 年碳化硅收入將超過(guò)10 億美金。同時(shí)，安森美預(yù)計(jì)未來(lái)三年碳化硅長(zhǎng)協(xié)將累計(jì)帶來(lái)40 億美元收入（此前預(yù)期26 億美元），其中90%來(lái)自汽車。英飛凌預(yù)計(jì)到2025 年左右，碳化硅相關(guān)收入將超過(guò)10 億美元。

 

    氮化鎵有望逐步走出消費(fèi)類場(chǎng)景，在數(shù)據(jù)中心/汽車/新能源發(fā)電等領(lǐng)域放量根據(jù)Yole，2021 年氮化鎵功率器件下游應(yīng)用中，消費(fèi)電子占比63.2%，以消費(fèi)類快充應(yīng)用為主，主要由于當(dāng)前氮化鎵器件技術(shù)制約，難以實(shí)現(xiàn)在10KW、1200V 以上的大功率場(chǎng)景應(yīng)用。以新能源汽車為例，當(dāng)前多用于DCDC、OBC 等小功率場(chǎng)景，難以在電機(jī)控制器實(shí)現(xiàn)應(yīng)用。但我們看到國(guó)內(nèi)外科研機(jī)構(gòu)、高校、公司等正在器件結(jié)構(gòu)等方面進(jìn)行嘗試（多溝道結(jié)構(gòu)、垂直PIN 結(jié)構(gòu)等），我們認(rèn)為氮化鎵功率器件在未來(lái)有望逐步拓寬在服務(wù)器、新能源汽車主驅(qū)、光伏逆變器等更大功率場(chǎng)景下的應(yīng)用前景。SiC/GaN 相關(guān)國(guó)內(nèi)上市標(biāo)的包括：天岳先進(jìn)、斯達(dá)半導(dǎo)、時(shí)代電氣、三安光電等。

 

    VCSEL：多結(jié)技術(shù)推動(dòng)功率密度提升，加速車載雷達(dá)龍頭股領(lǐng)域應(yīng)用大會(huì)上長(zhǎng)光華芯展示了多結(jié)VCSEL 的積極進(jìn)展，公司8 結(jié)VCSEL 功率密度已達(dá)1800W/mm2 以上，發(fā)散角可控制在18°左右。未來(lái)隨著多結(jié)技術(shù)的成熟，以及模式控制、工藝優(yōu)化等，VCSEL 芯片的功率密度及發(fā)散角等性能指標(biāo)有望進(jìn)一步優(yōu)化，加速其在車載激光雷達(dá)龍頭股領(lǐng)域的應(yīng)用。此外相比于EEL，VCSEL 具備更高的定制化屬性，客戶對(duì)于VCSEL 的峰值功率、陣列排布方式、可尋址設(shè)計(jì)等需求呈現(xiàn)多樣化�；�于此背景，我們看好采取IDM模式的VCSEL 廠商或能更靈活響應(yīng)下游客戶需求，有望率先受益于車載雷達(dá)用VCSEL 行業(yè)的快速發(fā)展。國(guó)內(nèi)相關(guān)上市標(biāo)的包括長(zhǎng)光華芯、德明利等。

 

    風(fēng)險(xiǎn)提示：技術(shù)發(fā)展不及預(yù)期；行業(yè)龍頭股競(jìng)爭(zhēng)加劇。

 

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